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您正在寻找一颗能轻松驾驭500V高压、承载12A电流，同时保持极低损耗的功率开关吗？STF14NM50N正是您的理想之选。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，凭借其低至320毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对PFC、UPS、工业变频等应用场景。优化的开关特性（低栅极电荷）有助于提升开关频率、减少损耗，而其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围，则确保了长期运行的卓越可靠性。选择它，就是为您的产品注入强劲而高效的“芯”动力。

• 型号:STF14NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF14NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。