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STY60NK30Z 零件图片(仅供参考)

STY60NK30Z
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STY60NK30Z 规格参数

面对需要处理高压大电流的功率转换挑战,您是否在寻找一颗能同时兼顾高效能与高可靠性的“心脏”?STY60NK30Z正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET,拥有300V的漏源电压和60A的连续电流处理能力,专为要求严苛的工业与能源应用设计。

它采用先进的SuperMESH技术,将导通电阻显著降低,在30A电流下最大仅45毫欧,让您的系统传导损耗大幅减少,效率显著提升。同时,优化的栅极电荷和电容特性,让开关过程更加迅速、平滑,有助于您轻松设计出更紧凑、更高效的电源或电机驱动方案。其坚固的MAX247通孔封装和宽广的工作温度范围,确保它在各种环境下都能稳定运行,是您构建高性能、高可靠性功率系统的得力伙伴。

  • 型号:STY60NK30Z
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:MAX247
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):45 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):220 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7200 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):450W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:MAX247
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • STY60NK30Z,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STY60NK30Z 基本参数:

  • 电子零件型号:STY60NK30Z
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 300V 60A MAX247
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STY60NK30Z的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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