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您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗动力强劲且高效节能的“心脏”？STF13NM50N正是这样一款能担此重任的N沟道功率MOSFET。它基于ST先进的MDmesh II技术打造，拥有500V的高耐压和12A的强电流处理能力，让您轻松应对严苛的工业级应用环境，确保系统主功率通路的稳定与安全。

这颗芯片的核心价值在于为您大幅提升能效。其低至320毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让更多的电能转化为有效输出，而非无谓的热量。同时，优化的开关特性帮助您减少开关损耗，从而实现更高频率的设计，让您的电源产品更小巧、更高效。坚固的TO-220FP封装提供了出色的散热能力，结合宽广的工作温度范围，确保设备在长期运行中始终保持高性能与高可靠性。

• 型号:STF13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。