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您正在寻找一颗能扛起600V中功率开关重任，同时保持高效冷静的“核心引擎”吗？STF12NM60N正是为此而生！这颗N沟道功率MOSFET采用ST先进的MDmesh II技术，旨在让您的电源转换和电机控制应用事半功倍。

它能为您做什么？它凭借仅410毫欧的低导通电阻，大幅降低导通损耗，让电能传输更高效，直接帮助您提升系统整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关动作，有效减少开关损耗，让您轻松实现更高频率的设计，并保持优异的温升表现。

无论是开关电源、PFC电路，还是电机驱动，STF12NM60N都能以10A的连续电流处理能力和坚固的TO-220FP封装，为您提供稳定可靠的功率开关解决方案，助您构建更高效、更紧凑的电力电子系统。

• 型号:STF12NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。