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您正在寻找一颗能扛起高电压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF12NM50ND正是您的理想之选！这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和11A的强大电流处理能力，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它能让您轻松驾驭工业电源、UPS、逆变器等应用场景。优异的开关特性（低栅极电荷Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，帮助您提升系统频率和功率密度。TO-220FP封装提供了卓越的散热路径，确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，让您的设计更可靠，产品寿命更长久。

• 型号:STF12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NM50ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。