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在电路保护领域，细节决定成败。ESDA6V1M6是ST意法半导体为您提供的精悍卫士，它专为保护敏感的电子线路而生。这颗TVS二极管能在纳秒级时间内响应并箝制高达100W的瞬态功率冲击（如静电放电），将危险电压疏导至安全地，确保您的主芯片和核心电路安然无恙。

它特别适用于保护低压信号线路（如数据线、I/O口）。其3V的反向工作电压和低至70pF的电容，让它在执行保护任务时几乎不会影响信号质量，实现保护与性能的完美平衡。采用微小的6-UFDFN表面贴装封装，让您可以轻松将其集成到任何紧凑的现代电子设计中，为您的产品可靠性加上一道坚实的保险。

• 型号:ESDA6V1M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:6-QFN（1.45x1.0）
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 3VWM 6UQFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:4
• 双向通道:-
• 电压 - 反向断态（典型值）:3V
• 电压 - 击穿（最小值）:6.1V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
• 功率 - 峰值脉冲:100W
• 电源线路保护:无
• 应用:通用
• 不同频率时电容:70pF @ 1MHz
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-UFDFN
• 供应商器件封装:6-QFN（1.45x1.0）
• ESDA6V1M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。