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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的高压开关管吗？STF11NM60N正是为您而来的解决方案！它基于意法半导体先进的MDmesh II技术，为您提供600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力。

这颗芯片的核心价值在于其极低的导通电阻和出色的开关特性，能显著降低您在开关电源、电机控制或照明应用中的功率损耗。这意味着您的系统效率更高，发热更少，运行更稳定。其TO-220FP封装让安装和散热管理变得轻松简单，助您快速实现高效、紧凑的产品设计。

• 型号:STF11NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。