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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关迅猛的功率开关吗？STP150N3LLH6正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅3.3毫欧，能极大减少导通损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉快、更高效。

它采用了ST先进的DeepGATE技术，即使在4.5V的低驱动电压下也能实现优异性能，让您轻松设计驱动电路。同时，极低的栅极电荷助力实现高速开关，有效降低开关损耗，提升系统整体频率和能效。无论是应对瞬间峰值电流还是持续高温环境，它都能稳定可靠地工作，是提升产品功率密度和可靠性的得力助手。

• 型号:STP150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP150N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。