我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF11N52K3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STF11N52K3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和10A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或照明系统时，轻松应对高压侧开关的严峻考验。

它的核心魅力在于极致的效率。仅510毫欧的超低导通电阻，大幅降低了导通损耗，直接提升您的系统能效。同时，优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关动作，减少开关损耗和EMI干扰。采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，助您构建更紧凑、更可靠的功率模块。选择STF11N52K3，就是选择让您的产品在性能与可靠性上赢得先机。

• 型号:STF11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。