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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效冷静的功率器件？STD4NK50ZT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和3A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（2.7Ω）与栅极电荷（12nC），能显著降低开关过程中的能量损耗，让您的电源系统运行得更凉快、更高效。

它能让您轻松应对反激式转换器、功率因数校正（PFC）以及LED照明驱动等应用场景。优异的开关特性配合DPAK封装，不仅节省宝贵的电路板空间，还简化了您的散热设计。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体久经考验的可靠性与性能，助您快速实现高效稳定的电源设计目标。

• 型号:STD4NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK50ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。