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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB40N20正是您需要的强大心脏。这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和40A的连续电流处理能力，能轻松胜任服务器电源、工业变频器、UPS系统等应用中的核心开关任务。

它采用了先进的STripFET技术，将导通电阻（Rds(on)）降至极低的45毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的系统运行更高效、更凉爽。同时，其坚固的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在严苛环境下的卓越可靠性和稳定性，让您对产品的耐用性充满信心。

• 型号:STB40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB40N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。