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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热挑战烦恼吗？让STF10NM50N为您提供成熟高效的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源击穿电压和7A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗最大仅630毫欧的Rds(on)能显著减少开关过程中的热量产生，直接提升您的系统能效，让电源设计更紧凑、更凉爽。

它采用经典的TO-220FP封装，安装牢固且散热性能优异，轻松应对-55°C至150°C的严苛工作环境。无论是构建开关电源、PFC电路，还是驱动电机，STF10NM50N都能以稳定的表现，助您降低系统复杂度，提升整体可靠性，是历经考验的功率管理优选。

• 型号:STF10NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。