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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STB8NM60D正是为此而生。这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和8A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值1欧姆@10V），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它内置的先进技术让开关过程更加干净利落。较低的栅极电荷和输入电容意味着您可以用更小的驱动功率轻松实现快速切换，从而提升系统整体频率和功率密度。无论是用于工业电源、PC电源还是照明镇流器，STB8NM60D都能让您的设计在性能和可靠性上占据优势，轻松应对各种挑战。

• 型号:STB8NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB8NM60D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。