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还在为高压应用中的开关损耗和热管理头疼吗？STF10N80K5正是为您而来的高效解决方案。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和仅600毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源设计效率更高、发热更少。

它高达9A的电流处理能力和优化的动态参数（如低栅极电荷），让您能够轻松构建更紧凑、更高效的功率转换电路，无论是工业电机驱动、服务器电源还是LED照明，都能游刃有余。其坚固的TO-220FP封装和宽工作温度范围，更确保了系统在各种环境下的长期可靠运行，是您提升产品性能和可靠性的理想选择。

• 型号:STF10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。