我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF10N60DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STF10N60DM2正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和8A的电流处理能力，专为要求严苛的开关电源和功率转换应用设计。

它采用意法半导体先进的MDmesh DM2技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。优化的动态特性帮助您轻松实现更快的开关频率和更简洁的驱动设计，从而提升整体功率密度。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的核心动力。

• 型号:STF10N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。