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您正在寻找一颗能显著提升电源效率、让系统运行更冷静的功率开关吗？STFI15N65M5正是为此而来。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，集650V高耐压与仅340毫欧的低导通电阻于一身，让您在处理高达11A电流时，也能大幅降低导通损耗，轻松实现更高的能源转换效率。

这颗N沟道MOSFET拥有优化的动态特性，其低栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更低，特别适合高频开关电源应用。它能让您的设计在更小的体积内释放更大的功率，同时卓越的散热性能（30W耗散能力）和高达150°C的结温工作能力，确保了系统在严苛环境下的长期稳定与可靠。选择它，就是为您的功率电路注入一颗高效、强健的“芯”。

• 型号:STFI15N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:340 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI15N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。