我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD9NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题寻找答案吗？STD9NM50N正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和5A的强大电流处理能力，让您在设计开关电源、电机控制或LED驱动时信心十足。

它的核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻与栅极电荷，共同作用大幅降低了开关损耗和导通损耗，从而提升整体系统效率，并让热管理变得更为轻松。采用坚固的DPAK表面贴装封装，确保出色的功率耗散能力，即使在高温环境下也能稳定运行。选择它，就是选择了一条通往更高能效、更可靠设计和更快上市时间的捷径。

• 型号:STD9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。