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您正在设计需要处理大电流、追求极致效率的电源或电机驱动方案吗？STH265N6F6-2AG正是您的理想之选。这颗60V/180A的N沟道功率MOSFET，凭借其惊人的2.1毫欧超低导通电阻，能大幅降低开关过程中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高，直接帮助您提升产品竞争力。

它采用坚固的H2PAK-2封装，并符合汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是应对汽车引擎舱的震动高温，还是工业设备的连续重载，它都能提供可靠的性能。其优化的栅极特性让驱动设计更轻松，帮助您简化电路、加快开发速度，高效实现高功率密度与高可靠性的设计目标。

• 型号:STH265N6F6-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH265N6F6-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。