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还在寻找一颗能兼顾高压耐受与高效开关的功率MOSFET吗？STD8NM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的漏源电压和7A的连续电流能力，其核心价值在于MDmesh II技术带来的卓越表现：低至650毫欧的导通电阻大幅削减传导损耗，而优化的栅极电荷则让开关动作更快、损耗更低，直接助力您的电源或电机驱动系统提升整体能效。

它能让您的设计工作变得异常轻松。无论是构建紧凑型开关电源、实现高效的功率因数校正，还是驱动各类电机，STD8NM60N都能稳定可靠地执行高速开关任务。表面贴装DPAK封装简化了您的PCB布局与生产流程。选择它，就是选择了一个久经考验、能够帮助您打造出更节能、更可靠产品的强大硬件基石。

• 型号:STD8NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD8NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。