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还在寻找那颗能同时兼顾高效率与高可靠性的“心脏”吗？STF38N65M5 N沟道MOSFET正是为您的高要求应用而生。它基于ST先进的MDmesh V技术，拥有650V的漏源电压和30A的连续电流能力，让您轻松应对工业电源、电机驱动等高压大电流场景的严峻挑战。

这颗芯片的核心魅力在于其极低的导通电阻（典型值95mΩ）与优化的栅极电荷。这意味着在开关过程中，能量损耗被大幅削减，系统运行更为凉爽，整体能效显著提升。它让您的设计不仅更高效，还能简化散热方案，有助于实现更紧凑的产品结构。高达150°C的结温工作范围，更是为长期稳定运行提供了坚实保障。

选择STF38N65M5，就是为您的功率转换系统注入一颗强劲、可靠的“芯”。它将复杂的功率管理化繁为简，助您快速打造出性能出众、市场竞争力强的终端产品。

• 型号:STF38N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:71 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF38N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。