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您是否正在寻找一颗能“扛大任”又“省空间”的功率开关？STD86N3LH5正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅5毫欧的超低导通电阻（@10V, 40A）。这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效，直接提升终端产品的续航和可靠性。

更值得一提的是，它隶属于通过AEC-Q101认证的汽车级产品家族，并采用紧凑的DPAK封装。这不仅能轻松应对汽车电子等恶劣环境的严苛要求，还能让您在有限的板级空间内布局大功率电路，实现高功率密度设计。其优化的栅极电荷（14nC @5V）确保了快速干净的开关动作，让您轻松实现精准的PWM控制，提升系统动态响应。选择STD86N3LH5，就是为您的核心功率链路选择了高效、可靠与紧凑的完美结合。

• 型号:STD86N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD86N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。