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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STP8NM50FP正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有550V的坚固耐压和8A的强劲电流通过能力，让您在设计开关电源、照明驱动或电机控制应用时，轻松应对高压环境，确保系统动力澎湃又稳定可靠。

得益于意法半导体先进的MDmesh技术，它实现了极低的导通电阻，大幅减少了导通损耗，让电能更高效地传递，直接帮助您提升整机效率并降低温升。其优化的动态参数，如低栅极电荷，让开关速度更快、损耗更小，驱动设计变得更简单。无论是追求能效极限，还是需要高可靠性的工业环境，它都能让您的设计事半功倍，性能表现更加出众。

• 型号:STP8NM50FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP8NM50FP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。