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您是否正在寻找一颗能扛起高效功率开关重任的“核心引擎”？STD7NS20T4正是这样一款专为 demanding 应用而生的N沟道MOSFET。它拥有200V的耐压和7A的持续电流能力，凭借其低至400毫欧的导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松构建高效率的开关电源、可靠的电机驱动器以及稳健的负载开关电路。其优化的动态参数确保快速干净的开关特性，帮助您提升系统频率、缩小磁性元件体积。采用坚固的DPAK封装，散热性能优异，安装便捷，是您提升产品功率密度和可靠性的理想选择。

• 型号:STD7NS20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NS20T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。