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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时坚如磐石的功率开关吗？STD120N4F6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，拥有惊人的4毫欧超低导通电阻，能轻松应对高达80A的大电流，让您的电源转换或电机驱动方案损耗更低、发热更少，效率显著跃升。

它专为严苛环境打造，工作温度横跨-55°C至175°C，并通过AEC-Q101认证，确保在汽车应用中的长期可靠性。其优化的动态特性（如低栅极电荷）让开关更快更干净，助您轻松实现高效、紧凑且稳健的设计。选择STD120N4F6，就是为您的产品选择了持久耐用的高性能核心。

• 型号:STD120N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD120N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。