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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？让STD7N60DM2来为您破局！这颗来自ST意法半导体的600V/6A N沟道MOSFET，集成了先进的MDmesh DM2技术，旨在让您的电源设计更高效、更紧凑。

它凭借低至900毫欧的导通电阻和仅7.5nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动损耗，轻松帮助您提升系统整体能效。无论是用于开关电源、PFC电路还是电机驱动，其DPAK封装和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）都能确保稳定可靠的性能，让您的产品在竞争中更具优势。

• 型号:STD7N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。