我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD6N90K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压电源设计的效率与可靠性头疼吗？让STD6N90K5为您带来改变！这颗来自意法半导体MDmesh K5家族的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和6A的连续电流能力，是您构建高效开关电源系统的理想基石。

它能让您的设计轻松应对严苛的工业环境。其先进的芯片技术显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接帮助您提升整机效率，并简化散热设计。无论是用于服务器电源、电机驱动还是LED照明，它都能确保系统稳定、高效地长时间运行。

选择STD6N90K5，您不仅获得了一颗高性能的功率开关，更获得了一份经久耐用的品质保障。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围，让您的产品在各种挑战下都信心十足。

• 型号:STD6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。