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您正在设计需要处理大功率、高效率的电路吗？STP210N75F6正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松承载高达120A的连续电流，并以低至3.7毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它基于ST先进的STripFET VI和DeepGATE技术打造，在75V的电压平台上提供了快速、稳健的开关性能。无论是用于电机控制、电源转换还是功率分配，它都能让您以更小的热设计余量，实现更大的功率输出，简化您的系统设计，提升整体可靠性。

• 型号:STP210N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP210N75F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。