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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关？STD6N65M2正是为您实现这一目标的利器。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达650V的耐压和4A的连续电流能力，核心搭载了先进的MDmesh技术，能显著降低导通损耗与开关损耗。

这意味着，在您的电源转换或电机驱动电路中，它能帮助您轻松提升整体能效，让系统运行更凉爽、更安静。其优化的动态性能和DPAK封装，让您能够设计出更紧凑、更可靠的解决方案，高效应对各种严苛的工作环境挑战。

• 型号:STD6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。