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您是否渴望一颗能在高功率应用中同时实现超高效率和出色热管理的功率开关？STP260N6F6正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和高达120A的连续漏极电流，其核心价值在于极低的3毫欧导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它采用了先进的DeepGATE技术，不仅开关速度快，栅极电荷管理也极为出色，能有效降低开关损耗，提升整体转换效率。无论是用于同步整流、电机控制还是各类开关电源，它都能让您轻松应对高电流挑战。其坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在恶劣环境下的长期稳定运行，为您产品的可靠性保驾护航。

• 型号:STP260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP260N6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。