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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的功率开关吗？STD65N55F3正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有55V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的8.5毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

它采用先进的STripFET技术，开关性能优异，栅极电荷低至45nC，让您轻松实现高频、高效的电源转换设计。无论是用于电机控制、电源管理还是各类功率转换场景，它都能让您的设备运行更凉爽、更稳定。其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在各种挑战性环境下的长久耐用，是您打造高性能、高可靠性产品的理想选择。

• 型号:STD65N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD65N55F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。