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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又将能量损耗降至最低的功率开关吗？STP90N4F3正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有80A的强大电流处理能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，直接将效率提升转化为产品的竞争优势和更长的运行时间。

它采用成熟的TO-220AB封装，散热能力出众，配合宽达-55°C至175°C的工作结温，确保您的设计即使在最苛刻的环境下也能稳定输出高达110W的功率。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STP90N4F3都能让您轻松构建更高效、更可靠的电力核心，简化热管理设计，让产品性能更加游刃有余。

• 型号:STP90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP90N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。