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您是否正在寻找一颗能够为您的汽车级应用提供强大动力与超高效率的“心脏”级开关器件？STD64N4F6AG正是为此而生。这颗来自意法半导体的40V/54A N沟道MOSFET，凭借其STripFET F6先进技术，实现了极低的8.2毫欧导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率飙升，同时有效控制温升。

它具备高达60W的功率处理能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，并通过了严苛的AEC-Q101车规认证，确保在振动、高温、高湿等恶劣环境下依然稳定可靠。无论是用于车载充电器、LED照明驱动，还是EPS系统，它都能让您轻松应对高电流挑战，提升系统整体性能与寿命。其DPAK封装设计兼顾了功率密度与散热需求，是您打造下一代高效、紧凑、可靠汽车电子产品的理想选择。

• 型号:STD64N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.2 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2415 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD64N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。