我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） L6388ED现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压半桥驱动电路的设计繁琐和可靠性担忧吗？让L6388ED来为您化繁为简！这颗来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，专为驱动IGBT和MOSFET而优化，内置自举二极管，支持高达600V的高压侧供电，让您轻松构建高效、紧凑的电机控制或电源转换系统。

它拥有强劲的650mA/400mA峰值输出电流和极快的开关速度，能显著降低开关损耗，提升能效。其宽泛的-40°C至150°C工作结温范围和坚固的设计，确保您的产品在各种严苛环境下都能稳定可靠地运行。选择L6388ED，就是为您的下一个电源管理项目注入一颗高效、可靠的驱动核心。

• 型号:L6388ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6388ED，ST（意法半导体）产品一站式供应商。