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还在寻找能兼顾高效率与高可靠性的整流方案吗？STPSC4H065D碳化硅肖特基二极管正是您期待的答案。它拥有650V的高耐压和4A的强电流能力，核心优势在于其“零反向恢复时间”特性，能彻底消除开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的开关频率和更低的电磁干扰。

这颗芯片能为您做什么？它让您的高压应用，如太阳能逆变器、电机驱动或PFC电路，运行得更加高效、安静且紧凑。其极低的正向压降（仅1.75V@4A）和反向泄漏电流，直接转化为更少的能量浪费和更低的工作温度。选择它，就是为您的产品注入了强劲的“高效芯”，助力您在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STPSC4H065D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• STPSC4H065D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。