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还在为高电流应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STH315N10F7-2为您带来颠覆性的解决方案！这颗N沟道MOSFET拥有仅2.3毫欧的超低导通电阻，能在大电流（高达180A）下显著降低导通损耗，直接为您节省能源、减少发热，让系统运行更凉爽、更高效。

它基于ST先进的STripFET VII和DeepGATE技术打造，具备100V的耐压和315W的强大功率处理能力。其汽车级（AEC-Q101）品质确保了在-55°C至175°C的极端温度范围内依然稳定可靠。无论是用于设计更紧凑的电机驱动器、更高效的DC-DC转换器，还是高可靠的电源系统，它都能让您轻松应对功率密度和能效的双重挑战，助力您的产品在性能竞赛中脱颖而出。

• 型号:STH315N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH315N10F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。