还在为高压应用中的开关损耗和可靠性头疼吗?让STF13N80K5来改变这一切!这颗基于ST先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET,是您实现高效功率转换的得力助手。
它拥有800V的高耐压和12A的强电流处理能力,配合极低的导通电阻,能显著降低您系统中的传导损耗,提升整体能效。同时,其优化的开关特性让驱动设计更简单,帮助您轻松应对服务器电源、工业驱动等高要求场景,打造更可靠、更紧凑的解决方案。
- 型号:STF13N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):450 毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):29 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):870 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):35W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- STF13N80K5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。