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还在为高压开关应用的效率和散热问题头疼吗？让STD5NM60-1来为您分忧！这颗N沟道MOSFET是您实现高效电能控制的利器。它拥有600V的高耐压和5A的连续电流能力，结合其MDmesh技术带来的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它能让您的设计工作变得异常轻松。极低的栅极电荷和输入电容意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，提升系统整体响应速度。无论是用于开关电源、照明镇流器还是工业变频器，STD5NM60-1都能凭借其高达96W的功率处理能力和宽达-55°C至150°C的工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定可靠地工作，助您打造出性能卓越且寿命长久的终端产品。

• 型号:STD5NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD5NM60-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。