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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与小封装的“全能型”开关管吗？STL4N80K5正是您的理想之选。这颗来自意法半导体SuperMESH5系列的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和2.5A的连续电流能力，专为要求苛刻的开关电源和功率转换应用而设计。

它最核心的价值，在于用尖端技术为您化解设计难题。其超低的2.5欧姆导通电阻，能显著减少导通损耗，提升整体能效，让您的产品更节能、发热更少。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快、驱动更轻松，有效降低开关损耗和噪声。所有这些优势，都被集成在一个散热出色的PowerFlat微型封装内，让您能轻松实现高功率密度的小型化设计，在竞争中脱颖而出。

• 型号:STL4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:38W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL4N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。