我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD5NM50AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STD5NM50AG N沟道MOSFET就是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh技术，集500V高耐压、7.5A大电流承载能力与超低导通电阻于一身，旨在显著降低您的电源转换或电机驱动方案中的导通与开关损耗。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松构建更高效、更紧凑的功率系统。其快速开关特性和低栅极电荷，让您实现更高的开关频率，从而有可能使用更小的磁性元件。同时，优异的散热性能和坚固的DPAK封装，确保了系统在严苛环境下的长期可靠运行，助您打造出性能出众且寿命持久的终端产品。

• 型号:STD5NM50AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:415 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NM50AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。