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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的中功率开关管吗？STD5NK60ZT4正是为您而来。它基于意法半导体成熟的SuperMESH技术，为您提供600V的坚固耐压屏障和5A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，直接提升您的电源或驱动系统的整体能效，让热量管理变得更轻松。

这颗芯片旨在让您的设计工作更高效。它拥有优化的动态参数，如较低的栅极电荷，这意味着您可以用更简单的驱动电路实现快速、干净的开关动作，从而降低开关损耗并简化系统设计。其坚固的DPAK封装确保了出色的功率耗散能力，结合宽广的工作温度范围，让您的产品能够从容应对各种严苛的应用环境，持久稳定运行。

• 型号:STD5NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。