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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的“核心开关”吗？STB46NF30正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有300V的漏源电压和高达42A的连续电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用设计。其核心价值在于，它能让您轻松实现高效的能量控制。

凭借STripFET II先进的工艺技术，它在10V驱动下导通电阻极低，能大幅减少导通损耗，直接提升您的系统整体效率。同时，优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速干净的开关性能，让您在设计高频电路时更加得心应手。无论是用于电源、电机驱动还是照明系统，STB46NF30都能提供稳定可靠的性能，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STB46NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 42A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB46NF30，ST（意法半导体）产品一站式供应商。