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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持高效与可靠的核心器件吗？STGW35NB60S正是为此而生。这颗600V、70A的IGBT，拥有低至1.7V的导通压降，能显著减少功率损耗，让您的电机驱动、电源或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它具备250A的强大脉冲电流能力，轻松应对负载突变；标准输入特性让驱动设计直截了当。虽然产品状态显示停产，但其成熟的PowerMESH技术带来的高性能如200W的功率处理能力和宽工作温度范围使其在诸多要求严苛的工业应用中依然极具价值，是优化现有经典设计的可靠选择。

• 型号:STGW35NB60S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 600V 70A TO-247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:70 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):250 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.7V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:200 W
• 开关能量:840J（导通），7.4mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:83 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:92ns/1.1s
• 测试条件:480V，20A，100 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGW35NB60S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。