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STD5NK52ZD-1 零件图片(仅供参考)

STD5NK52ZD-1
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STD5NK52ZD-1 规格参数

还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗?让STD5NK52ZD-1来为您分忧!这颗来自ST意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET,是专为高效能、高可靠性场景而生的功率开关解决方案。

它拥有520V的高耐压和4.4A的连续电流能力,让您轻松应对开关电源、PFC、照明及电机驱动等应用的严苛要求。其核心技术优势在于极低的导通电阻(1.5Ω @10V)与栅极电荷(16.9nC @10V)的完美结合,能显著降低功耗,提升系统整体效率,同时减少热管理压力。高达70W的功率处理能力和宽广的工作温度范围,确保了其在各种环境下的长期稳定运行。

选择它,就是为您的产品选择了高效、可靠与持久的动力核心。

  • 型号:STD5NK52ZD-1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:IPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):520 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):16.9 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):529 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:IPAK
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
  • STD5NK52ZD-1,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

STD5NK52ZD-1 基本参数:

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