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还在为高压开关应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STD5N52K3 N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它基于先进的SuperMESH3技术，在525V的漏源电压下，提供了仅1.5欧姆的超低导通电阻，能显著降低功率损耗，让您的电源设计效率更高，发热更少。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭高达4.4A的连续电流，并以极低的栅极电荷（仅17nC）实现快速开关，从而提升系统整体频率和功率密度。无论是用于反激式转换器、功率因数校正（PFC）还是电机控制，它都能确保高效、可靠的性能。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，为您应对各种严苛环境提供了坚实保障，是追求高性能与高可靠性设计的理想选择。

• 型号:STD5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。