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STD50NH02L-1 零件图片(仅供参考)

STD50NH02L-1
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STD50NH02L-1 规格参数

您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗?STD50NH02L-1正是为您而来!这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET,拥有24V耐压和高达50A的电流处理能力,其核心魅力在于惊人的低导通电阻最低仅10.5毫欧。这意味着在您的大电流通路中,它能将能量损耗降至极低,让电能几乎毫无阻碍地高效传输。

无论是构建高效的DC-DC转换器、执行精准的电机控制,还是用于需要快速响应的负载开关,STD50NH02L-1都能让您的设计事半功倍。它采用成熟的STripFET III技术,配合通孔I-PAK封装,确保了出色的散热性能和机械可靠性。选择它,就是为您的电源与驱动系统注入一颗强劲而高效的“心脏”,轻松应对高负荷挑战,全面提升终端产品的性能与竞争力。

  • 型号:STD50NH02L-1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-251(IPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):24 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.5 毫欧 @ 25A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):24 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):60W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-251(IPAK)
  • 封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
  • STD50NH02L-1,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD50NH02L-1 基本参数:

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