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还在为电源转换效率低下或开关损耗过大而头疼吗？STD50N03L正是为您解决这些痛点的利器。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达40A的连续电流处理能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（仅10.5毫欧）。这意味着它能显著减少导通状态下的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动电路运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松实现快速、干净的开关动作。极低的栅极电荷和优化的动态参数，简化了您的驱动电路设计，提升了系统的整体响应速度与可靠性。无论是用于同步整流、负载开关还是电机控制，STD50N03L都能帮助您构建出性能更优、体积更紧凑的解决方案，直接赋能您的终端产品赢得市场先机。

• 型号:STD50N03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1434 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD50N03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。