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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STD4NK80ZT4为您带来变革！这颗来自意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，是专为高效、高压开关而生的利器。

它拥有800V的强劲耐压和3A的连续电流能力，配合其低至3.5欧姆的导通电阻和优化的栅极电荷，能显著降低您的电源模块或电机驱动电路的导通与开关损耗。这意味着，您不仅能轻松提升系统整体能效，还能有效控制温升，简化散热设计，让产品运行更凉爽、更安静、更可靠。

无论是开发新一代适配器、LED驱动器，还是升级工业控制设备，STD4NK80ZT4都能让您的设计事半功倍，以更少的功耗释放更大的功率潜能。

• 型号:STD4NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK80ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。