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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD4NK60ZT4正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有600V耐压和4A电流能力，能轻松担当起开关电源、照明驱动等应用中的核心开关角色。

它的卓越之处在于，通过优化的内部结构，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。这意味着它能大幅降低开关过程中的能量损耗，让您的系统运行更高效、发热更少，从而提升整体可靠性和能效等级。选择它，就是选择了一份让设计更省心、性能更出众的保障。

• 型号:STD4NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。