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您正在寻找一颗能在高压下稳定工作、同时保持高效开关性能的“强力心脏”吗？STD4NK100Z正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的1000V耐压能力，配合其SuperMESH技术带来的低导通电阻，能显著减少开关过程中的能量损耗，直接提升您电源或电机驱动系统的整体效率。

它能让您轻松应对汽车电子、工业电源等对可靠性要求极高的场景。其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，让您的设计不仅高效，而且运行更凉爽、更稳定。选择它，就是为您的产品选择了一份强大的性能保障与安心的品质承诺。

• 型号:STD4NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。