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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关？STH80N10LF7-2AG正是为您而来。这颗来自意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心使命就是让您的电源管理、电机驱动或负载开关设计变得前所未有的高效与可靠。

它采用先进的STripFET技术，实现了极低的导通电阻（典型10毫欧），能显著减少导通损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。同时，其优化的栅极电荷和快速的开关特性，让您轻松实现高频高效的能量转换。无论是面对汽车引擎舱的酷热，还是工业设备的持续高压，其宽达-55°C至175°C的工作温度范围和坚固的H2PAK-2封装，都确保它能够稳定胜任，助您打造出性能卓越且寿命长久的终端产品。

• 型号:STH80N10LF7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH80N10LF7-2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。